HSPM-07RT室温永磁铁霍尔测试系统由高精度霍尔测试仪、室温永磁铁夹具平台、测试电脑及软件组成，可在固定磁场下实现霍尔效应的测量，系统结构桌面式结构设计、体积小，测试效率高，是实验室快速检测和工厂质检的不二选择。系统有77K液氮单点选件，提供样品在77K低温下完成霍尔效应测量。

  系统采用科学合理的共地设计，内部电学信号线全部采用三同轴线缆，保障了高阻半导体材料的测量，可以准确测量出样品的的载流子浓度迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数。室温永磁铁夹具平台，可以轻松移动和翻转磁场，能同时满足快速霍尔和直流霍尔测试，采用PCB插拔样品卡设计，兼顾范德堡和霍尔巴样品。

系统特点：
• 磁场优于 0.7T（室温测量）；磁场优于0.5T（液氮单点选件）
• 永磁铁通过滑轨移动，可以轻松翻转，同时兼顾快速霍尔和直流霍尔测试
• 简单的插拔样品卡设计，可实现快速方便的样品处理，兼顾霍尔巴和范德堡样品的霍尔测试
• 样品卡包含弹簧铍铜探针四探针样品卡、折弯钨探针四探针样品卡和焊接样品卡，满足不同样品测试需求
• 科学合理的共地和三同轴结构设计，保障了系统高阻测试性能，电阻可至100GΩ
• 测试腔有气路阀门，可通入氮气、氩气进行保护，也可抽取真空
• 可增添77K低温选件，测试液氮单点温度下的霍尔参数

测试材料：
• 热电材料：碲化铋、碲化铅、硅锗合金等
• 光伏材料/太阳能电池：A硅（单晶硅、非晶硅）、CIGS（铜铟镓硒）、碲化镉、钙钛矿等
• 有机材料：OFET、OLED等
• 透明导电金属氧化物TCO：ITO、AZO、ZnO、IGZO（铟镓锌氧化物）等
• 半导体材料：SiGe、InAs、SiC、InGaAs、GaN、SiC、InP、ZnO、Ga2O3等
• 二维材料：石墨烯、BN、MoS2等

参数和指标：